型号：Raith elphy quantum
主要参数
最高分辨率 ≤ 10 nm
最大样品尺寸：10mm × 10mm
最大单独写场：500μm×500μm
主要用途
电子束曝光系统（Electron-beam Lithography，简称EBL）是指利用电子束改性材料表面，使得在材料表面制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米结构提供了很有用的工具。通过电子束曝光实现的纳米结构、纳米器件已广泛应用于材料学、物理学、化学、生物学等各个领域。
