反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching)

发布者:马世玉发布时间:2024-04-17浏览次数:176


型号:日本 SAMCO RIE-10NR

主要参数

铝材保护腔室设计,最大容纳硅片尺寸:8 inch

功率范围:RF power 13.56 MHzMax. 300 W

气压控制:2.66×102~2.66×10-2 Pa

7路反应气体:CF4CHF3SF6O2O2(小流量), ArN2

主要用途

反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空中等离子体化有化学反应性的气体分子,产生具有高化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料,加速材料表面与活性刻蚀反应基团的反应速度,从而获得较高的刻蚀速度。反应离子腐蚀技术拥有良好的形貌控制能力(各向异性)、较高的选择比、可控的刻蚀速率,材料和器件的微纳结构加工中得到了广泛应用。